【クアラルンプール＝マレーシアBIZナビ】 日本ガイシ（本社・愛知県名古屋市）は7日、パワー半導体モジュール向けの絶縁放熱回路基板の生産能力を、2026年度までに現在の2.5倍に増強することを決定したと明らかにした。
ペナンに拠点を置く製造子会社、NGKエレクトロデバイスマレーシアと愛知県内の製造子会社、NGKセラミックデバイスの設備を増強し、全体の月間生産能力を現在の約10万枚から2026年度に約25万枚に引き上げる。投資額は約50億円を予定している。
絶縁放熱回路基板は、モーターの駆動制御や発電機などの電力変換を行うパワー半導体搭載部品（パワー半導体モジュール）に使われる製品。パワー半導体が駆動する際に発生する熱を逃がすことで、安定駆動させる役割を担っている。
窒化ケイ素製の絶縁放熱回路基板は、電気自動車（EV）やハイブリッド車（HEV）のモーター制御用のインバーターなどに使われており、大電力による高温環境下でも安定した動作が要求される炭化ケイ素（SiC）製のパワー半導体への採用が増えているという。
日本ガイシは声明の中で、同社の窒化ケイ素製絶縁放熱回路基板は、独自の接合技術により高い信頼性と優れた放熱特性を実現しており、パワー半導体の性能を最大限に引き出す製品として、2019年から欧州・日本のパワー半導体メーカー数社で採用されていると強調。世界的なEV化の進展に伴い、車載用途向けに需要が拡大しており、中長期的にさらなる市場拡大が見込まれるとしている。